ZnO基掺杂稀磁性的研究
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ZnO基掺杂稀磁性的研究
作者:刘超 Publish: 2006-7-8 Hits:-
【中文题名】 ZnO基掺杂稀磁性的研究
【英文题名】 Study of the DMS Magnetism of Doped ZnO
【学科专业】 光学
【论文级别】 硕士论文
【投稿时间】 2006-7-8
【中关键词】 水热合成,ZnO晶体,稀磁半导体,晶体形态,磁性,
【英关键词】 Hydrothermal method,ZnO crystal,DMS,morphology,magnetism,
【分类导航】 数理科学和化学>物理学>半导体物理学>半导体理论>半导体晶体物理>
【论文摘要】 本文采用水热法,以3mol·L~(-1)KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物(Zn(OH)_2或ZnO)中分别添加一定量的MnCl_2·4H_2O,CoCl_2·6H_2O,NiCl_2·6H_2O,FeSO_4·7H_2O,SnCl_2·2H_2O等,反应24小时合成各种ZnO基稀磁半导体晶体。 通过电子探针测量了晶体中的掺杂元素的含量,发现随着前驱物中掺杂元素含量的增加,晶体中掺杂元素的原子百分比含量随着增加,但是都存在一个极值。Mn最大原子百分比含量超过了8at%,Co最大原子百分比含量超过了5at%,Fe的掺杂量较少,约为0.5at%,Ni的最大原子百分比含量为0.65at%,掺杂过渡族金属离子获得的晶体基本保持了ZnO六棱柱形特征。 采用SQUID进行磁性测量,发现Zn_(1-x)Mn_xO晶体没有室温铁磁性,居里温度为50K,具有反铁磁性和高温顺磁性。Zn_(1-x)CoO_x晶体的磁化强度随温度变化很小,在室温300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温铁磁性。在室温以下,Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体晶体的磁化强度不随温度升高而下降,...
【论文题纲】
第1章 稀磁半导体材料及其研究概况 8-20
1.1 引言 8-9
1.2 磁学基本知识 9-10
1.3 稀磁半导体的基本概念 10-11
1.4 稀磁半导体的物理性质 11-14
1.4.1 稀磁半导体的磁光性质 11-12
1.4.2 稀磁半导体的输运特性 12-14
1.5 稀磁半导体材料的制备方法 14-15
1.5.1 分子束外延低温生长技术 14
1.5.2 离子注入技术 14
1.5.3 脉冲激光沉积 14-15
1.5.4 溶胶凝胶法 15
1.6 稀磁半导体材料发展概况 15-17
1.7 稀磁半导体合成中存在的重要问题 17-20
第2章 实验方法与设备 20-24
2.1 水热法 20-21
2.2 生长设备 21-23
2.2.1 高压釜 21-22
2.2.2 本实验设备 22-23
2.3 材料表征 23-24
第3章 实验与分析 24-48
3.1 引言 24-26
3.2 实验 26-27
3.3 Zn_(1-x)Mn_xO稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 27-33
3.3.1 晶体形貌 27-30
3.3.2 晶体的磁性 30-33
3.4 Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 33-36
3.4.1 晶体形貌 33-34
3.4.2 晶体的磁性 34-36
3.5 Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 36-39
3.5.1 晶体形貌 36-38
3.5.2 晶体的磁性 38-39
3.6 Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 39-41
3.6.1 晶体形貌 39-40
3.6.2 晶体的磁性 40-41
3.7 Zn_(1-x)Fe_xO:Cu稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 41-44
3.7.1 晶体形貌 41-42
3.7.2 晶体的磁性 42-44
3.8 Zn_(1-x)Sn_xO稀磁半导体的制备、表征和磁性的研究 44-48
3.8.1 晶体形貌 44-46
3.8.2 晶体的磁性 46-48
第4章 结论 48-49
参考文献 49-57
致谢 57-58
附录 58
【DOI】 LunWen.ID:2.2008.344242
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