| 【中文题名】 | 高精度电压调整二极管的研制 |
| 【英文题名】 | |
| 【学科专业】 | 机械工程 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2006-10-12 |
| 【中关键词】 | 高精度,外延,温度系数,补偿,二极管, |
| 【英关键词】 | High precision,Epitaxy,Temperature coefficient,Compensation,Diode, |
| 【分类导航】 | 工业技术>无线电电子学、电信技术>半导体技术>一般性问题>半导体二极管>二极管：按作用分 |
| 【论文摘要】 | 在稳压电路中，作为电压基准的稳压二极管，随着温度的变化，其稳定电压值亦会发生相应的变化。人们希望其变化越小越好。变化越小，意味着电路输出的电压越稳定，这对于电器产品来说是有益的，特别是航空、航天以及导弹的精确制导等，对该管的要求越来越高。为此，人们近年来在此领域不断的深入，以期制造出更为稳定的电压基准稳压二极管。
本文叙述了制造稳压二极管的几种方案，重点研究以外延方式实现多层台面结构的PN结串联组合，达到正向pn结与反向pn结的温度系数相互补偿的目的，使其稳定电压值V_z随着温度的变化而相对保持稳定。 |
| 【论文题纲】 |
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摘要 |
11-12 |
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ABSTRACT |
12-13 |
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目录 |
13-15 |
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第一章 基本理论 |
15-22 |
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1.1 pn结理论 |
15-18 |
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1.2 pn结的击穿 |
18-22 |
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第二章 台面硅电压调整二极管常用的几种制造方法 |
22-29 |
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2.1 扩散法 |
22-23 |
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2.2 合金法 |
23-27 |
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2.2.1 合金pn结的制作原理 |
23-24 |
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2.2.2 合金pn结的结深 |
24 |
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2.2.3 合金条件的考虑 |
24-27 |
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2.3 外延法 |
27-29 |
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第三章 硅气相外延基本生长技术的研究 |
29-33 |
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3.1 硅化学气相外延技术 |
29 |
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3.2 不同外延方法的分析与比较 |
29-33 |
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3.2.1 四氯化硅氢还原法外延 |
29-31 |
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3.2.2 硅烷热分解法 |
31-32 |
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3.2.3 选择外延 |
32-33 |
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第四章 高精度电压调整二极管的设计考虑 |
33-39 |
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4.1 制作方法考虑 |
33 |
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4.2 外延法制作电压调整二极管 |
33-34 |
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4.3 外延生长系统的改进措施 |
34-36 |
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4.4 半导体材料的选择 |
36 |
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4.5 外延层参数的确定 |
36 |
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4.5.1 外延层厚度 |
36 |
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4.5.2 外延层电阻率 |
36 |
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4.6 多层结构外延工艺 |
36-37 |
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4.7 温度系数的测试 |
37-39 |
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4.7.1 目的 |
37 |
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4.7.2 操作 |
37 |
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4.7.3 温度系数测试方法及其计算 |
37 |
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4.7.4 温度系数对比测试 |
37-39 |
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第五章 微缺陷成因及重金属杂质的影响 |
39-45 |
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5.1 微缺陷种类及其成因 |
39-43 |
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5.1.1 表面缺陷的分析 |
39-41 |
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5.1.2 内部晶格缺陷的分析 |
41-43 |
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5.2 重金属杂质的危害 |
43-44 |
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5.3 减少微缺陷及重金属沾污的措施 |
44-45 |
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第六章 结束语 |
45-46 |
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参考文献 |
46-47 |
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致谢 |
47-48 |
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附1 |
48-49 |
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附2 |
49 |
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| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.344329 |
