| 【中文题名】 | CuO/SiO_2纳米复合薄膜的制备和特性研究 |
| 【英文题名】 | Preparation and Properties of CuO/SiO_2 Nanometer Composite Thin Filmes |
| 【学科专业】 | 微电子学与固体电子学 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2007-9-20 |
| 【中关键词】 | 射频磁控溅射,电泳,退火,CuOSiO_2纳米复合薄膜,, |
| 【英关键词】 | RF magnetron sputtering,electrophoresis,annealing,CuO/SiO_2 nanocomposites films, |
| 【分类导航】 | 工业技术>无线电电子学、电信技术>半导体技术>一般性问题>半导体二极管>材料 |
| 【论文摘要】 |
纳米科学技术是21世纪科技产业革命的重要内容之一,其中纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。最近几十年,在氧化物母体上生长金属等纳米结构的纳米复合材料在世界范围内引起人们的广泛关注和研究。随着生长的纳米结构的大小,形状及相互作用的不同,复合材料的化学物理特性在相当大的范围内呈现多样化,特别是迅速增加的比表面积和量子尺寸效应,使电子结构成为决定金属-金属,金属-氧化物相互作用的重要角色,从而很大的影响着复合材料的功能特性。
由于二氧化硅具有许多优异特性,在半导体、电子工业中有着巨大应用,人们常选用二氧化硅作为母体,来生长一些金属纳米结构。CuO是一种间接带隙半导体材料,室温下带隙为1.0eV,具有独特的电、磁、催化特性,已被应用于催化剂超导材料、热电材料、传感材料、玻璃、陶瓷等领域,在许多有机物的反应中是一种重要的催化剂。
本论文采用Cu/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在n型Si(111)上制备出了CuO/SiO2纳米复合薄膜。并应用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射(FTIR... |
| 【论文题纲】 |
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摘要 |
5-7 |
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ABSTRACT |
7-9 |
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第一章 绪论 |
9-22 |
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1.1 纳米科学技术 |
9-11 |
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1.2 纳米材料和纳米复合薄膜 |
11-20 |
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1.3 CU,CUO 及SiO_2 的基本性质及应用 |
20-21 |
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1.4 本文选题依据 |
21-22 |
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第二章 实验设备与测试表征方法 |
22-28 |
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2.1 实验设备 |
22-25 |
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2.2 样品的测试和表征技术 |
25-28 |
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第三章 磁控溅射后退火法制备CUO/SIO_2纳米复合薄膜 |
28-41 |
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3.1 CU/SIO_2 纳米复合薄膜的制备过程 |
28-30 |
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3.2 在N_2 中退火制备的CUO/SIO_2 结构分析和发光特性 |
30-37 |
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3.3 在NH_3 中退火制备的CUO/SIO_2 的结构分析 |
37-39 |
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3.4 结论 |
39-41 |
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第四章 电泳沉积法制备CUO 薄膜 |
41-45 |
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4.1 电泳法制备CUO |
41 |
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4.2 CUO 薄膜的特性分析 |
41-44 |
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4.3 结论 |
44-45 |
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第五章 全文结论 |
45-47 |
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5.1 本文的主要研究结果 |
45-46 |
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5.2 对今后研究工作的建议 |
46-47 |
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参考文献 |
47-53 |
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攻读硕士期间发表文章 |
53-54 |
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致谢 |
54 |
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| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.344717 |
