| 【中文题名】 | MgB_2超导体的制备及In掺杂研究 |
| 【英文题名】 | Synthesis and In-doping of MgB_2 Superconductor |
| 【学科专业】 | 复合材料 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2003-12-12 |
| 【中关键词】 | 超导体,临界温度,烧结温度,保温时间,剩余电阻率比,上临界磁场 |
| 【英关键词】 | superconductor,critical temperature,sintering temperature,socking time,residual resistance ratio,,,upper critical field,coherence length, |
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| 【论文摘要】 |
新近发现的超导体MgB2，由于其许多独特性能尚未被人们完全认识和理解,在材料、物理、化学等多个学科领域引起了普遍的关注。从基础研究的角度看，通过对MgB2超导体结构性能的研究，人们可以从更深更广的层次和角度来观察MgB2的超导电性现象，理解其超导电机理，对超导研究起着促进作用。从应用的角度来看，一方面，MgB2的晶体结构简单，易于加工和制作。另一方面，用来合成MgB2的原料镁和硼资源丰富，成本低廉。除此之外，MgB2的临界磁场高，临界电流密度大等特点都显示出MgB2超导体极为诱人的应用潜力。
合成MgB2超导体的方法有很多，但总体来说，这些方法对实验条件的要求都很高。如何采用简便易行的方法合成MgB2，是人们十分关注的课题之一。本文在充分研究、对比、总结各种方法的基础上首次报道了压埋法合成块状MgB2超导体的方法。其实验方法如下：
除去金属镁表面的氧化层后将镁条剪成镁粒。再将原料镁和硼按化学计量比称量，在研钵中混合搅拌。待粉末混合均匀后，将其放在压机上压成薄片。然后把成型后的薄片放在坩埚中，用Al2O3粉掩埋并压实。接下来将坩埚放进管式炉内烧结。最后使样品随炉冷却。采用该方法得到的样品的临... |
| 【论文题纲】 |
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摘要 |
3-6 |
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ABSTRACT |
6-11 |
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第一章 超导体的发展及简介 |
11-24 |
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1．1 超导体的发展 |
11-16 |
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1．2 超导体的两大基本现象 |
16-17 |
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1．3 超导体的同位素效应 |
17 |
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1．4 超导体的分类 |
17-20 |
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1．5 参考文献 |
20-24 |
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第二章 MgB_2超导体简介 |
24-35 |
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2．1 MgB_2超导体的结构 |
25-26 |
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2．2 MgB_2超导体的临界电流密度 |
26 |
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2．3 MgB_2超导体的临界磁场 |
26-27 |
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2．4 MgB_2超导体的同位素效应 |
27 |
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2．5 高压条件对MgB_2超导体的影响 |
27-28 |
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2．6 MgB_2样品超导机理的实验探索 |
28-29 |
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2．7 MgB_2超导体的应用前景 |
29-31 |
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2．8 参考文献 |
31-35 |
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第三章 压埋法制备MgB_2超导体 |
35-42 |
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3．1 MgB_2超导体的常见制备方法介绍 |
35-36 |
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3．2 压埋法制备MgB_2超导体 |
36-38 |
|
3．2．1 实验仪器 |
36-37 |
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3．2．2 实验药品 |
37 |
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3．2．3 实验方法 |
37-38 |
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3．3 样品测量 |
38 |
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3．4 MgB_2样品的粉末衍射分析 |
38-39 |
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3．5 MgB_2样品的电阻随温度变化关系及讨论 |
39-40 |
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3．6 小结 |
40-41 |
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3．7 参考文献 |
41-42 |
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第四章 压埋法制备MgB_2超导体的工艺研究 |
42-52 |
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4．1 烧结温度对MgB_2超导性能的影响 |
43-46 |
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4．2 保温时间对MgB_2超导体临界温度的影响 |
46-49 |
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4．3 MgB_2超导体的剩余电阻率与临界温度的关系 |
49-50 |
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4．4 小结 |
50-51 |
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4．5 参考文献 |
51-52 |
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第五章 MgB_2超导体的In掺杂研究 |
52-66 |
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5．1 Mg_(1-x)In_xB_2样品的制备与测量 |
53 |
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5．2 Mg_(1-x)In_xB_2样品的衍射分析 |
53-55 |
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5．3 Mg_(1-x)In_xB_2样品的关系分析 |
55-57 |
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5．4 Mg_(1-x)In_xB_2样品的-关系分析 |
57-63 |
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5．5 Mg_(1-x)In_xB_2样品的相干长度 |
63-64 |
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5．6 参考文献 |
64-66 |
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第六章 结论与展望 |
66-69 |
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6．1 结论 |
66-68 |
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6．2 展望 |
68-69 |
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致谢 |
69-70 |
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攻读硕士学位期间发表的论文 |
70 |
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| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.134436 |
