| 【中文题名】 | 磁光材料的制备和性能研究 |
| 【英文题名】 | |
| 【学科专业】 | 微电子学与固体电子学 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2007-8-29 |
| 【中关键词】 | 磁控溅射,TbFeCo薄膜,椭偏光谱,Drude模型,XRD, |
| 【英关键词】 | Magnetron sputtering,TbFeCo films,Spectroscopic ellipsometry,Drude model,XRD, |
| 【分类导航】 | 工业技术>电工技术>电工材料>磁性材料、铁氧体>磁性材料、铁磁材料> |
| 【论文摘要】 |
本文对采用磁控溅射制备TbFeCo薄膜的工艺进行了详细研究，制备了TbFeCo系列薄膜，分析了TbFeCo薄膜的生长机理。
首先利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征，结果表明Tb的溅射率相对较高，薄膜中Tb原子含量超过靶中Tb原子的含量。用AFM、SEM对样品的表面进行观察。结果表明，溅射时间、溅射功率和工作气压是改善磁控溅射成膜的关键。
其次采用椭圆偏振光谱仪研究了所制备TbFeCo薄膜的光学性质，研究了Ag保护层厚度对薄膜光学性质的影响，结果表明，该磁光薄膜对红外光有较大的吸收，对紫外光吸收较小；测量结果与Drude模型是相吻合的；同时把有无保护层的两种薄膜的光谱进行了比较，结果表明，有保护层的磁光薄膜Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近于保护层的光谱；原因是Ag的反射率很高，其透射率相对较低，因此到达第二层介质TbFeCo的光较少。
最后利用磁光克尔系统和VSM测量了样品TbFeCo／Si和Ag／TbFeCo／Si的Kerr效应、磁性，测量结果表明TbFeCo／Si和Ag／TbFeCo／Si都呈现出面内磁化。 |
| 【论文题纲】 |
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摘要 |
4-5 |
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Abstract |
5-6 |
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第一章 绪论 |
6-17 |
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1.1 磁光存储的研究现状 |
6-7 |
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1.2 磁光存储和读出的基本原理 |
7-10 |
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1.2.1 磁光记录的存储原理 |
7-9 |
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1.2.2 磁光记录的读出原理 |
9 |
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1.2.3 理想的磁光记录材料应具备的基本性能 |
9-10 |
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1.3 磁各向异性 |
10-13 |
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1.3.1 磁晶各向异性 |
11 |
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1.3.2 交换各向异性 |
11-12 |
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1.3.3 表面各向异性 |
12 |
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1.3.4 形状各向异性 |
12-13 |
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1.3.5 其他各向异性 |
13 |
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1.4 稀土-过渡族金属磁光记录薄膜研究的进展 |
13-15 |
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1.4.1 抗腐蚀性研究的进展 |
13-15 |
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1.5 目前存在的问题和本文的研究目标 |
15-17 |
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第二章 样品制备 |
17-31 |
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引言 |
17 |
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2.1 衬底的处理方法 |
17-18 |
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2.2 TbFeCo样品的制备 |
18-24 |
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2.2.1 直流磁控溅射法 |
19-20 |
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2.2.2 射频溅射法 |
20-21 |
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2.2.3 磁控溅射仪简介 |
21-22 |
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2.2.4 溅射产额 |
22-23 |
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2.2.5 成核机理 |
23 |
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2.2.6 溅射过程 |
23-24 |
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2.3 AlN、SiN保护层的制备 |
24-30 |
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2.3.1 反应溅射工作原理 |
24-25 |
|
2.3.2 AlN、SiN薄膜的制备 |
25-26 |
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2.3.3 AlN和SiN薄膜的光学特性与溅射工艺的关系 |
26-30 |
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2.4 本章小结 |
30-31 |
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第三章 结构和光学性质分析 |
31-51 |
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引言 |
31 |
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3.1 XRD |
31-34 |
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3.1.1 X射线衍射仪原理 |
31-32 |
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3.1.2 X射线测试结果 |
32-33 |
|
3.1.3 Ag厚度的影响 |
33-34 |
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3.2 SEM和EDAX分析 |
34-38 |
|
3.3 AFM分析 |
38-41 |
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3.4 椭圆偏振光谱仪分析 |
41-50 |
|
3.4.1 测量原理 |
42-45 |
|
3.4.2 椭圆偏振光谱分析 |
45-50 |
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3.5 本章小结 |
50-51 |
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第四章 磁性分析 |
51-60 |
|
引言 |
51 |
|
4.1 磁光效应 |
51-55 |
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4.1.1 磁光薄膜的kerr角 |
52-55 |
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4.2 磁性 |
55-57 |
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4.2.1 振动样品磁强计(VSM) |
56-57 |
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4.3 Ag保护膜的厚度对磁光记录膜特性的影响 |
57-59 |
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4.4 本章小结 |
59-60 |
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第五章 结论 |
60-62 |
|
致谢 |
62-63 |
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参考文献 |
63-66 |
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附录: 发表论文、申请和参加课题 |
66-67 |
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| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.134744 |
