| 【中文题名】 | 高功率半导体量子阱激光器的可靠性研究 |
| 【英文题名】 | |
| 【学科专业】 | 光学 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2003-9-24 |
| 【中关键词】 | 激光器,温度分布,退化,失效,灾变性光学损伤, |
| 【英关键词】 | LD,facet temperature,reliability,aging,COD, |
| 【分类导航】 | 工业技术>无线电电子学、电信技术>光电子技术、激光技术>激光技术、微波激射技术>激光器> |
| 【论文摘要】 |
本论文主要包括五个方面：
1．介绍了大功率半导体激光器制作工艺并对自行制作的808nm，915nm器件进行了测试分析，测试结果为最大输出功率分别为0.9W和0.66W，斜率效率分别为0.82和0.43W／A。
2．研究了温度对激光器各参数的影响，随着温度的增加，阈值电流呈指数增加，输出功率和斜率效率分别呈抛物线和指数关系递减，同时特征温度也减少，波长随温度的漂移系数为0.24nm／℃，并且总结了一些温度和结构设计方面的关系。
3．分别从理论上和实验上计算分析了激光器在工作时腔面的温度分布，理论上采用的是Henry模型，实验上通过光致发光和拉曼光谱法测试了激光器在工作时的腔面温度分布；结果表明光致发光法测量的较为准确，拉曼光谱法测量的值偏大，由于我们对理论模型做了一定的近似，理论结果偏大，但理论值在大注入时和光致发光法符合的较好，由此可见光致发光法对研究腔面的温度有更大的优越性。
4．对激光器进行恒流恒温老化，用电导数研究激光器的可靠性，并分析影响激光器可靠性的因素。我们对几十只InGaAsP大功率半导体激光器进行导数测试和恒流老化，参数测试分析结... |
| 【论文题纲】 |
|
中文摘要 |
5-6 |
|
英文摘要 |
6-7 |
|
第一章 引言 |
7-13 |
|
1.1 半导体激光器的发展概述 |
7-8 |
|
1.2 高功率半导体激光器的应用前景 |
8-10 |
|
1.3 高功率半导体激光器的研究进展 |
10-12 |
|
1.4 本论文的主要工作 |
12-13 |
|
第二章 高功率半导体量子阱激光器的结构与制作 |
13-19 |
|
2.1 大功率量子阱激光器的结构 |
13-14 |
|
2.2 器件的制作工艺流程 |
14-16 |
|
2.3 半导体激光器的测试 |
16-18 |
|
2.4 本章总结 |
18-19 |
|
第三章 温度对半导体激光器性能参数的影响 |
19-25 |
|
3.1 温度对性能参数的影响 |
19-23 |
|
3.1.1 温度与阈值电流密度的关系 |
19-21 |
|
3.1.2 温度对输出光功率的影响 |
21 |
|
3.1.3 温度对微分量子效率的影响 |
21-22 |
|
3.1.4 温度对激光器光谱的影响 |
22-23 |
|
3.2 温度与激光器结构设计和工艺的关系 |
23-24 |
|
3.3 本章总结 |
24-25 |
|
第四章 半导体激光器的温度的分布 |
25-40 |
|
4.1 理论模型 |
25-29 |
|
4.2 理论计算结果 |
29-31 |
|
4.3 实验研究激光器的温度分布 |
31-33 |
|
4.4 光致发光法测腔面温度 |
33-36 |
|
4.5 拉曼光谱法测腔面温度(RM) |
36-38 |
|
4.5.1 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的拉曼光谱 |
36-37 |
|
4.5.2 拉曼光谱测量的实验结果 |
37-38 |
|
4.6 本章总结 |
38-40 |
|
第五章 半导体激光器的可靠性及寿命 |
40-48 |
|
5.1 电导数测量原理及方法 |
40-41 |
|
5.2 半导体激光器电导数曲线及参数与器件可靠性关系 |
41-43 |
|
5.3 InGaAsP半导体激光器的电导数测试结果 |
43-45 |
|
5.4 寿命实验 |
45-46 |
|
5.5 本章结论 |
46-48 |
|
第六章 激光器的退化及失效 |
48-58 |
|
6.1 退化模式 |
48-49 |
|
6.2 主要的退化机理 |
49-52 |
|
6.3 灾变性光学损伤(COD) |
52-55 |
|
6.4 过载与失效 |
55-56 |
|
6.5 正确使用器件 |
56-57 |
|
6.6 本章总结 |
57-58 |
|
第七章 结论 |
58-59 |
|
参考文献 |
59-61 |
|
作者简介 |
61 |
|
发表文章 |
61-62 |
|
致谢 |
62 |
|
| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.340247 |
