| 【中文题名】 | InAs/GaAs自组织量子点存储器件研究 |
| 【英文题名】 | |
| 【学科专业】 | 微电子学与固体电子学 |
| 【论文级别】 | 硕士论文 |
| 【投稿时间】 | 2006-11-6 |
| 【中关键词】 | InAsGaAs量子点,存储器,偏压降温,深能级,, |
| 【英关键词】 | InAs/GaAs self-assembled quantum dots,memory device,bias-cooling,deep levels, |
| 【分类导航】 | 工业技术>自动化技术、计算机技术>计算技术、计算机技术>电子数字计算机（不连续作用电子计算机）>存贮器> |
| 【论文摘要】 | 近年来，利用Stranski-Krastanow方式(简称S-K方式)自组织生长的量子点越来越受到人们的关注。基于这种量子点的半导体器件既有非常广阔的应用前景又具有很大的理论研究意义。通过研究量子点器件的工作原理，可以得到有关量子点能级的详细信息。
本文报道的基于pHEMT结构的InAs／GaAs量子点存储器，既能在室温下工作，又可以只用栅极电压来控制其存储状态，具有十分重要的应用前景。我们在室温下对InAs／GaAs量子点存储器进行了延滞回线、沟道电导实时测试、偏压降温C-V特性等测试。
本文首先概述了量子点的基本概念、主要性质、制备方法和器件应用，以及量子点存储器的结构与工作原理。我们共制备了四种不同结构的InAs／GaAs量子点材料，并分别加工成器件，用于实验测试。利用FET与I-V特性测试来判断器件加工工艺是否符合要求，并判别器件性能的优劣，选取所需的器件进行后续的测试；延滞回线测试表明器件具有明显的延滞特征，也就说明了该器件在不同栅压条件下能够形成两种不同的状态，因此具有存储效应；利用沟道电导实时测试不仅可以得出器件工作的原理，还可以测得相应的存储保持时间，其中VMB... |
| 【论文题纲】 |
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目录 |
3-5 |
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图表目录 |
5-7 |
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符号表 |
7-9 |
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中文摘要 |
9-10 |
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ABSTRACT |
10-11 |
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第一章 引言 |
11-28 |
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第一节 量子点的主要性质、制备方法及应用 |
11-20 |
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1.量子点的定义 |
11-12 |
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2.量子点的性质 |
12-13 |
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3.量子点的分类及其制备方法 |
13-17 |
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4.量子点的应用 |
17-20 |
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第二节 量子点存储器的结构及工作原理 |
20-26 |
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1.基于pHEMT结构的量子点存储器 |
20-23 |
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2.量子点存储器的工作原理 |
23-26 |
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第三节 量子点存储器的选题动机 |
26-28 |
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第二章 InAS／GaAs量子点材料的制备设备及方法 |
28-45 |
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第一节 实验方法与设备 |
28-31 |
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1.分子束外延(MBE)系统 |
28-31 |
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2.反射高能电子衍射仪(RHEED) |
31 |
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第二节 InAs／GaAs量子点存储器的结构与加工 |
31-41 |
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1.InAs／GaAs量子点存储器的样品结构 |
31-35 |
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2.InAs／GaAs量子点存储器的加工 |
35-41 |
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第三节 测试内容与方法 |
41-45 |
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1.AFM测试 |
41-42 |
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2.FET与I-V测试 |
42-43 |
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3.C-V测试 |
43-45 |
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第三章 量子点存储器的实验结果与讨论 |
45-56 |
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第一节 FET与I-V特性测试 |
45-49 |
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第二节 延滞回线测试 |
49-51 |
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第三节 沟道电导实时测试 |
51-54 |
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第四节 偏压降温C-V测试 |
54-56 |
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第四章 结论 |
56-57 |
|
参考文献 |
57-63 |
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致谢 |
63-64 |
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已发表论文目录 |
64-65 |
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学位论文评阅及答辩情况表 |
65 |
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| 【DOI】 | LunWen.ID:2.2008.363935 |
